jfcai@xmu.edu.cn
物理大楼 553
个人主页：
研究领域
半导体材料与器件的光电性质测试与研究；光电探测器的应用开发
教育和工作经历
蔡加法，男，高级工程师。1973年出生于福建省，2004年毕业于厦门大学物理系（在职研究生），获理学硕士学位。现主要从事半导体材料和光电器件的光电性质研究工作，负责厦门大学物理系材料物理测试中心的仪器设备维护、管理工作。测试中心拥有FL-920瞬态荧光光谱仪、SP-750i光栅光谱仪、PN4300PC电化学电容测试仪、APD HC-4闭循环低温制冷系统、自制芯片级光电探测器电学特性（I-V）、光电响应特性测试系统等价值超过500万人民币的大型精密测试设备，可以进行材料的光学和电学性质的表征。测试中心可以提供光致发光（PL）谱、电致发光（EL）谱、I-V/C-V特性曲线、材料和器件光电响应谱、表面光伏（SPS）谱、电调制反射（ER）谱等多种测试手段，其中后二者为本中心独立建立起来的测试方法，具有测试灵敏度高、样品制备简单、不损害样品等特点。
代表性文章或专著
蔡加法，孔令民，吴正云，陈主荣，牛智川，自组织生长InAs量子点的发光性质研究，厦门大学学报（自然科学 版），Vol.42, No.6, 2003：732-735
蔡加法，陈主荣，吴正云，新的电调制反射谱技术及其应用，光电子·激光 ，Vol.16, No.8, 2005：969-972
蔡加法，刘志鑫，陈主荣，吴正云，高灵敏表面光伏谱前置放大器的研制， 实验技术与管理，Vol.27, No.2, 2010： 47-49
Ling Min Kong, Jia Fa Cai, Zheng Yun Wu, Zheng Gong, Zhi Chuan Niu, Zhe Chuan Feng，Time-resolved photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots，Thin Solid Films 498（2006）：188-192
Kong Lingmin，Cai Jiafa，Wu Zhengyun，Gong Zheng，Fang Zhidan，Niu Zhichuan Optical characteristics of InAs quantum dots on GaAs matrix by using various InGaAs structures，武汉大学学报（材料科学版）（英文）JOURNAL OF WUHAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY-MATERIALS SCIENCE EDITION，Vol.21, No.2, 2006：76-79
S W Zeng, B P Zhang, J W Sun, J F Cai, C Chen, J Z Yu，Substantial photo-response of InGaN p-i-n homojunction solar cells， Semicond. Sci. Technol. 24 2009
Huolin Huang, Yannan Xie, Wefeng Yang, Feng Zhang, Jiafa Cai, Zhengyun WuLow-dark-current TiO2 MSM photodetectors with Pt Schottky contacts，IEEE Electron Device Letters，Vol. 32, No.4，2011：530-532
专利
蔡加法，陈主荣，吴正云，表面光伏谱前置放大器，实用新型专利，授权号：ZL200620156385.1，授权日期：2007年10月31日
